KMB5D5NP30Q Todos los transistores

 

KMB5D5NP30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMB5D5NP30Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5(4.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.7(4.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155(116) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.045) Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

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KMB5D5NP30Q Datasheet (PDF)

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KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,Hportable equipment and battery powered systems.TD P GLFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERS: VDSS=30V, ID=5.5A.A 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V_3.90 + 0.3B18 5

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 kmb5d0np40q.pdf pdf_icon

KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems. HTD PG LFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERSA: VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20B1 _3.90 + 0.3: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10VB2 _6.

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