Справочник MOSFET. KMB5D5NP30Q

 

KMB5D5NP30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMB5D5NP30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5(4.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.7(4.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155(116) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.045) Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMB5D5NP30Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB5D5NP30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  kec
 kmb5d5np30q.pdf pdf_icon

KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,Hportable equipment and battery powered systems.TD P GLFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERS: VDSS=30V, ID=5.5A.A 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V_3.90 + 0.3B18 5

 9.1. Size:490K  kec
 kmb5d0np40q.pdf pdf_icon

KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems. HTD PG LFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERSA: VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20B1 _3.90 + 0.3: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10VB2 _6.

Другие MOSFET... KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q , KMB4D8DN55Q , KMB5D0NP40Q , HY1906P , KMB6D0DN30QA , KMB6D0DN35QA , KMB6D0NP40QA , KMB6D6N30Q , KMB7D0DN40Q , KMB7D0DN40QA , KMB7D0N40QA , KMB7D0NP30Q .

History: FDMS86540 | WNM2046B | WMN10N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.