KMB5D5NP30Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KMB5D5NP30Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5(4.5) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.6 nC
Время нарастания (tr): 9.7(4.7) ns
Выходная емкость (Cd): 155(116) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(0.045) Ohm
Тип корпуса: FLP8
Аналог (замена) для KMB5D5NP30Q
KMB5D5NP30Q Datasheet (PDF)
kmb5d5np30q.pdf
SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,Hportable equipment and battery powered systems.TD P GLFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERS: VDSS=30V, ID=5.5A.A 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V_3.90 + 0.3B18 5
kmb5d0np40q.pdf
SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems. HTD PG LFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERSA: VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20B1 _3.90 + 0.3: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10VB2 _6.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: P5806NVG
