Справочник MOSFET. KMB5D5NP30Q

 

KMB5D5NP30Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMB5D5NP30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5(4.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.7(4.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155(116) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.045) Ohm
   Тип корпуса: FLP8

 Аналог (замена) для KMB5D5NP30Q

 

 

KMB5D5NP30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  kec
 kmb5d5np30q.pdf

KMB5D5NP30Q KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,Hportable equipment and battery powered systems.TD P GLFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERS: VDSS=30V, ID=5.5A.A 5.05+0.25/-0.20: RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V_3.90 + 0.3B18 5

 9.1. Size:490K  kec
 kmb5d0np40q.pdf

KMB5D5NP30Q KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40QTECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC Converter applications.It s mainly suitable for power management in PC,portable equipment and battery powered systems. HTD PG LFEATURES AN-ChannelDIM MILLIMETERSA: VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20B1 _3.90 + 0.3: RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10VB2 _6.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCE40H14

 

 
Back to Top