KMB5D5NP30Q - описание и поиск аналогов

 

KMB5D5NP30Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMB5D5NP30Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5(4.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.7(4.7) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155(116) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.045) Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KMB5D5NP30Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB5D5NP30Q даташит

 ..1. Size:384K  kec
 kmb5d5np30q.pdf pdf_icon

KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D5NP30Q TECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, H portable equipment and battery powered systems. T D P G L FEATURES A N-Channel DIM MILLIMETERS VDSS=30V, ID=5.5A. A 5.05+0.25/-0.20 RDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=10V _ 3.90 + 0.3 B1 8 5

 9.1. Size:490K  kec
 kmb5d0np40q.pdf pdf_icon

KMB5D5NP30Q

SEMICONDUCTOR KMB5D0NP40Q TECHNICAL DATA N and P-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, portable equipment and battery powered systems. H T D P G L FEATURES A N-Channel DIM MILLIMETERS A VDSS=40V, ID=5A. 5.05+0.25/-0.20 B1 _ 3.90 + 0.3 RDS(ON)=35m (Max.) @ VGS=10V B2 _ 6.

Другие MOSFET... KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q , KMB4D8DN55Q , KMB5D0NP40Q , AOD4184A , KMB6D0DN30QA , KMB6D0DN35QA , KMB6D0NP40QA , KMB6D6N30Q , KMB7D0DN40Q , KMB7D0DN40QA , KMB7D0N40QA , KMB7D0NP30Q .

History: STE48NM50 | KMB012N30Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.