KF13N60N Todos los transistores

 

KF13N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF13N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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KF13N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  kec
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KF13N60N

KF13N60NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._

 9.1. Size:901K  kec
 kf13n50p-f.pdf pdf_icon

KF13N60N

KF13N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF13N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 13ADra

Otros transistores... KMB7D0NP30QA , KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , IRF1404 , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U .

History: STL140N6F7 | IPL65R650C6S | IPI65R280E6 | AOD3T40P | HY1506I | STB200N4F3 | IRF5806

 

 
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