KF13N60N Todos los transistores

 

KF13N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF13N60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 215 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 36 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 185 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.47 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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KF13N60N Datasheet (PDF)

0.1. kf13n60n.pdf Size:65K _kec

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KF13N60NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._

9.1. kf13n50p-f.pdf Size:901K _kec

KF13N60N
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KF13N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF13N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 13ADra

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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