KF13N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KF13N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF13N60N

KF13N60N Datasheet (PDF)

..1. Size:65K kec
kf13n60n.pdf

KF13N60NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._

9.1. Size:901K kec
kf13n50p-f.pdf

KF13N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF13N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 13ADra

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Liste

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