KF13N60N - аналоги и даташиты транзистора

 

KF13N60N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF13N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для KF13N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF13N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  kec
 kf13n60n.pdf pdf_icon

KF13N60N

KF13N60NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._

 9.1. Size:901K  kec
 kf13n50p-f.pdf pdf_icon

KF13N60N

KF13N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF13N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 13ADra

Другие MOSFET... KMB7D0NP30QA , KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , IRF1404 , KF15N50N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U .

History: AP2N050H | SGSP363 | IPS80R1K4P7 | BLP012N08-T | JCS12N65CT | 2SK1446 | NP160N055TUJ

 

 
Back to Top

 


 
.