KF15N50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF15N50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de KF15N50N MOSFET
KF15N50N Datasheet (PDF)
kf15n50n.pdf

KF15N50NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._
Otros transistores... KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , IRFP260N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA .
History: WFD2N65L | FS3UM-16A | IRF9952Q | IPL60R185P7 | IPN80R1K2P7 | IXTP5N60P | MMBT7002KW
History: WFD2N65L | FS3UM-16A | IRF9952Q | IPL60R185P7 | IPN80R1K2P7 | IXTP5N60P | MMBT7002KW



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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