KF15N50N - описание и поиск аналогов

 

KF15N50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF15N50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для KF15N50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF15N50N даташит

 ..1. Size:63K  kec
 kf15n50n.pdf pdf_icon

KF15N50N

KF15N50N SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast Q B N O K switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 power supplies. _

Другие MOSFET... KMB7D1DP30QA , KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , IRLZ44N , KF17N50N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA .

History: KMB054N40DA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.