KF17N50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF17N50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 223 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 41 nC

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 244 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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KF17N50N Datasheet (PDF)

1.1. kf17n50n.pdf Size:64K _kec

KF17N50N SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast Q B N O K switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 power supplies. _

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: