KF17N50N - аналоги и даташиты транзистора

 

KF17N50N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF17N50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для KF17N50N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF17N50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  kec
 kf17n50n.pdf pdf_icon

KF17N50N

KF17N50NSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastQ BNO Kswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20power supplies._

Другие MOSFET... KMB7D6NP30Q , KMB8D0P30Q , KMB8D2N60QA , KMC7D0CN20C , KMC7D0CN20CA , KML0D6NP20EA , KF13N60N , KF15N50N , IRF640N , KF50N06P , KTK919S , KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB .

History: AP02N90I | SWI5N30D | WMB098N03LG2 | 2SK562 | 2SK564 | IXTT2N300P3HV | HY1310U

 

 
Back to Top

 


 
.