KMD6D0DN30QA Todos los transistores

 

KMD6D0DN30QA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMD6D0DN30QA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: FLP8

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KMD6D0DN30QA datasheet

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KMD6D0DN30QA

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40Q TECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. H T D P G L FEATURES A VDSS=40V, ID=6A. DIM MILLIMETERS A _ + Drain-Source ON Resistance. 4.85

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