Справочник MOSFET. KMD6D0DN30QA

 

KMD6D0DN30QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMD6D0DN30QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD6D0DN30QA Datasheet (PDF)

 6.1. Size:372K  kec
 kmd6d0dn40q.pdf pdf_icon

KMD6D0DN30QA

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40QTECHNICAL DATADual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. HTD PG LFEATURES AVDSS=40V, ID=6A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON Resistance. 4.85

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDI045N10AF102 | HU840U | ME2301 | IPD70N04S3-07 | MRF5007R1 | AP9408GH

 

 
Back to Top

 


 
.