Справочник MOSFET. KMD6D0DN30QA

 

KMD6D0DN30QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMD6D0DN30QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMD6D0DN30QA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD6D0DN30QA Datasheet (PDF)

 6.1. Size:372K  kec
 kmd6d0dn40q.pdf pdf_icon

KMD6D0DN30QA

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40QTECHNICAL DATADual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. HTD PG LFEATURES AVDSS=40V, ID=6A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON Resistance. 4.85

Другие MOSFET... KTK920BT , KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , 2SK3878 , KMD6D0DN40Q , KMD7D5P40QA , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F .

History: NCE30P50G | FQB10N50CFTM | SHDC224701 | RU40191S | 3N189 | FCU600N65S3R0 | 2SK2671

 

 
Back to Top

 


 
.