KMD6D0DN40Q Todos los transistores

 

KMD6D0DN40Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMD6D0DN40Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: FLP8

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KMD6D0DN40Q datasheet

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KMD6D0DN40Q

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40Q TECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. H T D P G L FEATURES A VDSS=40V, ID=6A. DIM MILLIMETERS A _ + Drain-Source ON Resistance. 4.85

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