KMD6D0DN40Q Todos los transistores

 

KMD6D0DN40Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMD6D0DN40Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

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KMD6D0DN40Q Datasheet (PDF)

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KMD6D0DN40Q

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40QTECHNICAL DATADual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. HTD PG LFEATURES AVDSS=40V, ID=6A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON Resistance. 4.85

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History: FHP4N65B | SLP240C03D | IRFP260PBF | 2SK2857C | BSO150N03 | PPMET20V08E | 24NM60L-T3F-T

 

 
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