KMD6D0DN40Q Todos los transistores

 

KMD6D0DN40Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMD6D0DN40Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
 

 Búsqueda de reemplazo de KMD6D0DN40Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KMD6D0DN40Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  kec
 kmd6d0dn40q.pdf pdf_icon

KMD6D0DN40Q

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40QTECHNICAL DATADual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. HTD PG LFEATURES AVDSS=40V, ID=6A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON Resistance. 4.85

Otros transistores... KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , STP75NF75 , KMD7D5P40QA , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P .

History: AMS6006 | NCE0240 | FDMC86340 | MMF80R650P | SL12N100F | SK840320 | SRC65R110BS

 

 
Back to Top

 


 
.