KMD6D0DN40Q - описание и поиск аналогов

 

KMD6D0DN40Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMD6D0DN40Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KMD6D0DN40Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD6D0DN40Q даташит

 ..1. Size:372K  kec
 kmd6d0dn40q.pdf pdf_icon

KMD6D0DN40Q

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40Q TECHNICAL DATA Dual N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. H T D P G L FEATURES A VDSS=40V, ID=6A. DIM MILLIMETERS A _ + Drain-Source ON Resistance. 4.85

Другие MOSFET... KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , 7N65 , KMD7D5P40QA , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P .

History: AP40T03GH-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.