Справочник MOSFET. KMD6D0DN40Q

 

KMD6D0DN40Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMD6D0DN40Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMD6D0DN40Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD6D0DN40Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  kec
 kmd6d0dn40q.pdf pdf_icon

KMD6D0DN40Q

SEMICONDUCTOR KMD6D0DN40QTECHNICAL DATADual N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters. HTD PG LFEATURES AVDSS=40V, ID=6A.DIM MILLIMETERSA _+Drain-Source ON Resistance. 4.85

Другие MOSFET... KTK920BU , KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , STP75NF75 , KMD7D5P40QA , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P .

History: FDMS86540 | WMN10N65C4 | WNM2046B

 

 
Back to Top

 


 
.