KMD7D5P40QA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMD7D5P40QA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: FLP8
Búsqueda de reemplazo de KMD7D5P40QA MOSFET
KMD7D5P40QA Datasheet (PDF)
kmd7d5p40qa.pdf

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, lowgate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable forHbattery protection circuit.TD P GLUFEATURES AVDSS=-40V, ID=-7.5A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._+A 4.85 0.2_
Otros transistores... KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , KMD6D0DN40Q , STP75NF75 , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D .
History: KPA2790GR | APT34F60BG | SLF12N65C | R6008FNX | KMD6D0DN40Q | APT6010LFLLG
History: KPA2790GR | APT34F60BG | SLF12N65C | R6008FNX | KMD6D0DN40Q | APT6010LFLLG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678