KMD7D5P40QA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMD7D5P40QA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: FLP8
Búsqueda de reemplazo de KMD7D5P40QA MOSFET
KMD7D5P40QA Datasheet (PDF)
kmd7d5p40qa.pdf

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, lowgate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable forHbattery protection circuit.TD P GLUFEATURES AVDSS=-40V, ID=-7.5A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._+A 4.85 0.2_
Otros transistores... KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , KMD6D0DN40Q , AON7408 , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D .
History: ALD1103SBL | FDMS86252L | SWD3N90U | FL6L52010L | FDMS030N06B | IRF6218 | STB20NM60D
History: ALD1103SBL | FDMS86252L | SWD3N90U | FL6L52010L | FDMS030N06B | IRF6218 | STB20NM60D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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