KMD7D5P40QA Todos los transistores

 

KMD7D5P40QA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMD7D5P40QA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: FLP8

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KMD7D5P40QA datasheet

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KMD7D5P40QA

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QA TECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable for H battery protection circuit. T D P G L U FEATURES A VDSS=-40V, ID=-7.5A. DIM MILLIMETERS Drain-Source ON Resistance. _ + A 4.85 0.2 _

Otros transistores... KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , KMD6D0DN40Q , IRFP250N , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D .

History: KMB7D1DP30QA | STD90N4F3

 

 

 

 

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