Справочник MOSFET. KMD7D5P40QA

 

KMD7D5P40QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMD7D5P40QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMD7D5P40QA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD7D5P40QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  kec
 kmd7d5p40qa.pdf pdf_icon

KMD7D5P40QA

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, lowgate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable forHbattery protection circuit.TD P GLUFEATURES AVDSS=-40V, ID=-7.5A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._+A 4.85 0.2_

Другие MOSFET... KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , KMD6D0DN40Q , AON7408 , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D .

 

 
Back to Top

 


 
.