Справочник MOSFET. KMD7D5P40QA

 

KMD7D5P40QA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMD7D5P40QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD7D5P40QA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  kec
 kmd7d5p40qa.pdf pdf_icon

KMD7D5P40QA

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QATECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, lowgate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable forHbattery protection circuit.TD P GLUFEATURES AVDSS=-40V, ID=-7.5A.DIM MILLIMETERSDrain-Source ON Resistance._+A 4.85 0.2_

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEP050N10MG | SI7913DN | IPAN60R600P7S | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.