KMD7D5P40QA - описание и поиск аналогов

 

KMD7D5P40QA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMD7D5P40QA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KMD7D5P40QA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD7D5P40QA даташит

 ..1. Size:790K  kec
 kmd7d5p40qa.pdf pdf_icon

KMD7D5P40QA

SEMICONDUCTOR KMD7D5P40QA TECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly suitable for H battery protection circuit. T D P G L U FEATURES A VDSS=-40V, ID=-7.5A. DIM MILLIMETERS Drain-Source ON Resistance. _ + A 4.85 0.2 _

Другие MOSFET... KTK920T , KTK920U , KMB035N40DA , KMB6D0DN30QB , KMB6D0NS30QA , KMB7D0DN40QB , KMD6D0DN30QA , KMD6D0DN40Q , IRFP250N , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D .

History: KMB080N75PA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.