KU047N08P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU047N08P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 167 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 200 nC
Tiempo de subida (tr): 200 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 815 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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KU047N08P Datasheet (PDF)
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KU047N08PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description AThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,E DIM MILLIMETERSG_Synchronous Rectification and a load switch in battery powered +A 9.9 0.2B
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