KU047N08P Todos los transistores

 

KU047N08P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KU047N08P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 815 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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KU047N08P datasheet

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KU047N08P

KU047N08P SEMICONDUCTOR N-ch Trench MOS FET TECHNICAL DATA General Description A This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, E DIM MILLIMETERS G _ Synchronous Rectification and a load switch in battery powered + A 9.9 0.2 B

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