KU047N08P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KU047N08P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 815 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KU047N08P Datasheet (PDF)
ku047n08p.pdf

KU047N08PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description AThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,E DIM MILLIMETERSG_Synchronous Rectification and a load switch in battery powered +A 9.9 0.2B
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STF8236 | CHM8207JGP
History: STF8236 | CHM8207JGP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet