KU086N10P Todos los transistores

 

KU086N10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KU086N10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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KU086N10P datasheet

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KU086N10P

KU086N10P/F SEMICONDUCTOR N-ch Trench MOS FET TECHNICAL DATA General Description KU086N10P A This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, E DIM MILLIMETERS G _ Synchronous Rectification and a load switch in battery powered +

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