KU086N10P - описание и поиск аналогов

 

KU086N10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU086N10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KU086N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU086N10P даташит

 ..1. Size:417K  kec
 ku086n10p f.pdf pdf_icon

KU086N10P

KU086N10P/F SEMICONDUCTOR N-ch Trench MOS FET TECHNICAL DATA General Description KU086N10P A This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, E DIM MILLIMETERS G _ Synchronous Rectification and a load switch in battery powered +

Другие MOSFET... KMD6D0DN40Q , KMD7D5P40QA , KMD9D0DN30QA , KML0D3P20V , KML0D4N20V , KU035N06P , KU047N08P , KU086N10F , IRF9540N , KU310N10D , KU310N10P , KF10N60F , KF10N60P , KF10N68F , KF11N50F , KF11N50P , KF12N60F .

History: SSB65R090S2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.