KF3N40I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF3N40I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Encapsulados: IPAK
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KF3N40I datasheet
kf3n40w.pdf
KF3N40W SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 400V, ID= 2A Drain-Source ON R
kf3n40d-i.pdf
KF3N40D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching mo
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