KF3N40I - описание и поиск аналогов

 

KF3N40I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF3N40I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для KF3N40I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF3N40I даташит

 8.1. Size:685K  kec
 kf3n40w.pdf pdf_icon

KF3N40I

KF3N40W SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 400V, ID= 2A Drain-Source ON R

 8.2. Size:931K  kec
 kf3n40d-i.pdf pdf_icon

KF3N40I

KF3N40D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N40D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching mo

Другие MOSFET... KF1N60I , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P , KF3N40D , TK10A60D , KF3N40W , KF3N50DS , KF3N50DZ , KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , KF3N60D , KF3N60F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.