KF4N20LD Todos los transistores

 

KF4N20LD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF4N20LD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.89 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de KF4N20LD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: KF4N20LD

 ..1. Size:596K  kec
 kf4n20ld i.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LD/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF4N20LD This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching m

 7.1. Size:634K  kec
 kf4n20lw.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LW SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 200V, ID= 1A Drain-Source ON

Otros transistores... KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , KF3N60D , KF3N60F , KF3N60I , KF3N60P , KF3N80F , 18N50 , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F , KF4N65P , KF4N80F , KF5N50D , KF5N50DS , KF5N50DZ .

 

 
Back to Top

 


 
.