KF4N20LD - описание и поиск аналогов

 

KF4N20LD - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF4N20LD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.89 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KF4N20LD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF4N20LD технические параметры

 ..1. Size:596K  kec
 kf4n20ld i.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LD/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF4N20LD This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching m

 7.1. Size:634K  kec
 kf4n20lw.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LW SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 200V, ID= 1A Drain-Source ON

Другие MOSFET... KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , KF3N60D , KF3N60F , KF3N60I , KF3N60P , KF3N80F , 18N50 , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F , KF4N65P , KF4N80F , KF5N50D , KF5N50DS , KF5N50DZ .

 

 
Back to Top

 


 
.