KF4N20LD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KF4N20LD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.89 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KF4N20LD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF4N20LD даташит

 ..1. Size:596K  kec
 kf4n20ld i.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LD/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF4N20LD This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 switching m

 7.1. Size:634K  kec
 kf4n20lw.pdf pdf_icon

KF4N20LD

KF4N20LW SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 200V, ID= 1A Drain-Source ON

Другие IGBT... KF3N50FS, KF3N50FZ, KF3N50IZ, KF3N60D, KF3N60F, KF3N60I, KF3N60P, KF3N80F, STP65NF06, KF4N20LI, KF4N20LW, KF4N65F, KF4N65P, KF4N80F, KF5N50D, KF5N50DS, KF5N50DZ