FDP8030L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP8030L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO220

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FDP8030L datasheet

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FDP8030L

November 1999 FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critic

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FDP8030L

FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC electrica

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FDP8030L

September 2007 UniFETTM FDP80N06 tm N-Channel MOSFET 60V, 80A, 10m Features Description RDS(on) = 8.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge(Typ. 57nC) stripe, DMOS technology. Low Crss(Typ. 145pF) This advanced technology has been especially

Otros transistores... FDP6030L, FDP6035AL, FDP6035L, FDP603AL, FDP6670AL, FDP7030BL, FDP7030L, FDP7045L, IRFZ44, FDR4410, FDR4420A, FDR8305N, FDR8308P, FDR836P, FDR838P, FDR8508P, FDR856P