FDP8030L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP8030L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Время нарастания (tr): 185 ns
Выходная емкость (Cd): 2700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP8030L Datasheet (PDF)
fdp8030l fdb8030l.pdf
November 1999FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critic
fdp8030l fdb8030l.pdf
FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC electrica
fdp80n06.pdf
September 2007UniFETTMFDP80N06tmN-Channel MOSFET60V, 80A, 10mFeatures Description RDS(on) = 8.5m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge(Typ. 57nC)stripe, DMOS technology. Low Crss(Typ. 145pF)This advanced technology has been especially
Другие MOSFET... FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , IRFP460 , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P .
