KF6N60I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF6N60I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KF6N60I
KF6N60I Datasheet (PDF)
kf6n60p-f.pdf
KF6N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 600V, ID= 6A
kf6n60d-i.pdf
KF6N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF6N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and_B 6.10 + 0.20_C 5.
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Liste
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