KF6N60I - описание и поиск аналогов

 

KF6N60I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF6N60I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для KF6N60I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF6N60I даташит

 8.1. Size:1221K  kec
 kf6n60p-f.pdf pdf_icon

KF6N60I

KF6N60P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF6N60P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 600V, ID= 6A

 8.2. Size:482K  kec
 kf6n60d-i.pdf pdf_icon

KF6N60I

KF6N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF6N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6.60 + 0.20 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.

Другие MOSFET... KF5N60F , KF5N60FZ , KF5N60I , KF5N60P , KF5N65D , KF5N65F , KF6N60D , KF6N60F , IRFP064N , KF7N50D , KF7N50F , KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P .

History: HM18DN03Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.