FDR4410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDR4410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 627 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SUPERSOT8

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FDR4410 datasheet

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FDR4410

April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The FDR4410 has been designed as a smaller, low cost 9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 V alternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V. High density cell design for extremely low RDS(ON). The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8 package

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FDR4410

June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description Features The SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs 11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V, have been designed to provide a low profile, small footprint RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V. alternative to industry standard SO-8 little foot type product. Fast switching speed.

Otros transistores... FDP6035AL, FDP6035L, FDP603AL, FDP6670AL, FDP7030BL, FDP7030L, FDP7045L, FDP8030L, IRF640, FDR4420A, FDR8305N, FDR8308P, FDR836P, FDR838P, FDR8508P, FDR856P, FDR858P