FDR4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDR4410
   Código: 4410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 627 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSOT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDR4410

FDR4410 Datasheet (PDF)

..1. Size:220K fairchild semi
fdr4410.pdf

April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThe FDR4410 has been designed as a smaller, low cost9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 Valternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V.High density cell design for extremely low RDS(ON).The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8package

9.1. Size:211K fairchild semi
fdr4420a.pdf

June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V,have been designed to provide a low profile, small footprintRDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V.alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Fast switching speed.

Otros transistores... FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , IRFZ44 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , FDR858P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: