FDR4410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDR4410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 627 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT8

Аналог (замена) для FDR4410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR4410 даташит

 ..1. Size:220K  fairchild semi
 fdr4410.pdf pdf_icon

FDR4410

April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The FDR4410 has been designed as a smaller, low cost 9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 V alternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V. High density cell design for extremely low RDS(ON). The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8 package

 9.1. Size:211K  fairchild semi
 fdr4420a.pdf pdf_icon

FDR4410

June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description Features The SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs 11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V, have been designed to provide a low profile, small footprint RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V. alternative to industry standard SO-8 little foot type product. Fast switching speed.

Другие IGBT... FDP6035AL, FDP6035L, FDP603AL, FDP6670AL, FDP7030BL, FDP7030L, FDP7045L, FDP8030L, IRF640, FDR4420A, FDR8305N, FDR8308P, FDR836P, FDR838P, FDR8508P, FDR856P, FDR858P