FDR4410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDR4410
Маркировка: 4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 627 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.013 Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
FDR4410 Datasheet (PDF)
fdr4410.pdf
April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThe FDR4410 has been designed as a smaller, low cost9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 Valternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V.High density cell design for extremely low RDS(ON).The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8package
fdr4420a.pdf
June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V,have been designed to provide a low profile, small footprintRDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V.alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Fast switching speed.
Другие MOSFET... FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , IRF540N , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , FDR858P .
