KF7N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF7N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220IS
Búsqueda de reemplazo de KF7N80F MOSFET
KF7N80F Datasheet (PDF)
kf7n80p-f.pdf

KF7N80P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N80PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSG_correction and switching mode power supp
Otros transistores... KF7N50F , KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , 50N06 , KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D .
History: STSJ25NF3LL | VBZL80N08 | GSM5008S | NCE65T1K2I | DMN15H310SK3 | IRFI9Z34G | IRFU3607
History: STSJ25NF3LL | VBZL80N08 | GSM5008S | NCE65T1K2I | DMN15H310SK3 | IRFI9Z34G | IRFU3607



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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