KF7N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KF7N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO220IS
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KF7N80F datasheet
kf7n80p-f.pdf
KF7N80P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF7N80P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G _ correction and switching mode power supp
Otros transistores... KF7N50F , KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , 50N06 , KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D .
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