KF7N80F - аналоги и даташиты транзистора

 

KF7N80F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF7N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KF7N80F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF7N80F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:397K  kec
 kf7n80p-f.pdf pdf_icon

KF7N80F

KF7N80P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N80PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSG_correction and switching mode power supp

Другие MOSFET... KF7N50F , KF7N50I , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , 50N06 , KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D .

History: IRFU3607 | NCEAP40ND40AG | WMO14N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.