FDR4420A Todos los transistores

 

FDR4420A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDR4420A
   Código: 4420A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPERSOT8
 

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FDR4420A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  fairchild semi
 fdr4420a.pdf pdf_icon

FDR4420A

June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V,have been designed to provide a low profile, small footprintRDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V.alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Fast switching speed.

 9.1. Size:220K  fairchild semi
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FDR4420A

April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThe FDR4410 has been designed as a smaller, low cost9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 Valternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V.High density cell design for extremely low RDS(ON).The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8package

Otros transistores... FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , IRF1404 , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , FDR858P , FDS3570 .

 

 
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