Справочник MOSFET. FDR4420A

 

FDR4420A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDR4420A
   Маркировка: 4420A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT8
 

 Аналог (замена) для FDR4420A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR4420A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  fairchild semi
 fdr4420a.pdf pdf_icon

FDR4420A

June 1998 FDR4420A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of N-Channel Logic Level MOSFETs11 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 10 V,have been designed to provide a low profile, small footprintRDS(ON) = 0.013 @ VGS = 4.5 V.alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Fast switching speed.

 9.1. Size:220K  fairchild semi
 fdr4410.pdf pdf_icon

FDR4420A

April 1998 FDR4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThe FDR4410 has been designed as a smaller, low cost9.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 10 Valternative to the popular Si4410DY. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 4.5 V.High density cell design for extremely low RDS(ON).The SuperSOTTM-8 package is 40% smaller than the SO-8package

Другие MOSFET... FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL , FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , IRF1404 , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , FDR858P , FDS3570 .

History: HUF76443S3S | IRLW520A

 

 
Back to Top

 


 
.