KF9N25D Todos los transistores

 

KF9N25D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF9N25D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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KF9N25D PDF Specs

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KF9N25D

KF9N25D SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 and switching mode power ... See More ⇒

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KF9N25D

KF9N25P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF9N25P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters E DIM MILLIMETERS G _ and switching mode power supplies. A 9.9 + ... See More ⇒

Otros transistores... KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F , KF8N60P , IRF640 , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D .

 

 
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