KF9N25D - описание и поиск аналогов

 

KF9N25D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KF9N25D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KF9N25D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF9N25D технические параметры

 ..1. Size:382K  kec
 kf9n25d.pdf pdf_icon

KF9N25D

KF9N25D SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 and switching mode power

 8.1. Size:93K  kec
 kf9n25p-f.pdf pdf_icon

KF9N25D

KF9N25P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF9N25P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters E DIM MILLIMETERS G _ and switching mode power supplies. A 9.9 +

Другие MOSFET... KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F , KF8N60P , IRF640 , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D .

 

 
Back to Top

 


 
.