KF9N50F Todos los transistores

 

KF9N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KF9N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220IS
     - Selección de transistores por parámetros

 

KF9N50F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:888K  kec
 kf9n50p-f.pdf pdf_icon

KF9N50F

KF9N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF9N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIMavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 500V, ID= 9

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | IRFR120TR | STP5N62K3 | MRF5003 | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K

 

 
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