KF9N50F - описание и поиск аналогов

 

KF9N50F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF9N50F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: TO220IS

Аналог (замена) для KF9N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF9N50F даташит

 8.1. Size:888K  kec
 kf9n50p-f.pdf pdf_icon

KF9N50F

KF9N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF9N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 500V, ID= 9

Другие MOSFET... KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , IRFB4110 , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.