KF3N80I Todos los transistores

 

KF3N80I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KF3N80I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: IPAK

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KF3N80I datasheet

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KF3N80I

KF3N80D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N80D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and L C D _ A 6.60 + 0.20 switching mode power supplies.

 8.2. Size:382K  kec
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KF3N80I

KF3N80F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power supplie

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