Справочник MOSFET. KF3N80I

 

KF3N80I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF3N80I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KF3N80I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:388K  kec
 kf3n80d i.pdf pdf_icon

KF3N80I

KF3N80D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N80DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting andLC D_A 6.60 + 0.20switching mode power supplies.

 8.2. Size:382K  kec
 kf3n80f.pdf pdf_icon

KF3N80I

KF3N80FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+correction and switching mode power supplie

Другие MOSFET... KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , AON6414A , KF60N06P , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.