KHB2D0N60F Todos los transistores

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KHB2D0N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KHB2D0N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 23 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220IS

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KHB2D0N60F Datasheet (PDF)

1.1. khb2d0n60p f f2.pdf Size:89K _kec

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KHB2D0N60P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB2D0N60P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode A 9.9 + 0.2 B B 15.95 MAX Q power s

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