Справочник MOSFET. KHB2D0N60F

 

KHB2D0N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KHB2D0N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KHB2D0N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB2D0N60F Datasheet (PDF)

 5.1. Size:89K  kec
 khb2d0n60p f f2.pdf pdf_icon

KHB2D0N60F

KHB2D0N60P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB2D0N60PAOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_avalanche characteristics. It is mainly suitable for switching mode A 9.9 + 0.2BB 15.95 MAXQpowe

Другие MOSFET... KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , IRF9540 , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , KHB3D0N70P , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.