KHB3D0N70P Todos los transistores

 

KHB3D0N70P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KHB3D0N70P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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KHB3D0N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  kec
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KHB3D0N70P

KHB3D0N70P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for switch mode powersupplies.FEATURES VDSS= 700V, ID= 3ADrain-Source ON Resistance : RDS(ON)

 7.1. Size:501K  kec
 khb3d0n90p1 f1 f2.pdf pdf_icon

KHB3D0N70P

KHB3D0N90P1/F1/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB3D0N90P1AOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A 9.9 + 0.2BB 15.95 M

Otros transistores... KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , AON7408 , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 .

History: UTC654 | NVMYS4D6N04CL

 

 
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