Справочник MOSFET. KHB3D0N70P

 

KHB3D0N70P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KHB3D0N70P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для KHB3D0N70P

 

 

KHB3D0N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  kec
 khb3d0n70p f.pdf

KHB3D0N70P KHB3D0N70P

KHB3D0N70P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for switch mode powersupplies.FEATURES VDSS= 700V, ID= 3ADrain-Source ON Resistance : RDS(ON)

 7.1. Size:501K  kec
 khb3d0n90p1 f1 f2.pdf

KHB3D0N70P KHB3D0N70P

KHB3D0N90P1/F1/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB3D0N90P1AOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A 9.9 + 0.2BB 15.95 M

Другие MOSFET... KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , K3569 , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 .

 

 
Back to Top