KHB3D0N70P - описание и поиск аналогов

 

KHB3D0N70P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KHB3D0N70P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KHB3D0N70P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB3D0N70P даташит

 ..1. Size:1209K  kec
 khb3d0n70p f.pdf pdf_icon

KHB3D0N70P

KHB3D0N70P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for switch mode power supplies. FEATURES VDSS= 700V, ID= 3A Drain-Source ON Resistance RDS(ON)

 7.1. Size:501K  kec
 khb3d0n90p1 f1 f2.pdf pdf_icon

KHB3D0N70P

KHB3D0N90P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB3D0N90P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A 9.9 + 0.2 B B 15.95 M

Другие MOSFET... KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , IRFP250N , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.