KHB5D0N50P Todos los transistores

 

KHB5D0N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KHB5D0N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.24 Ohm

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de KHB5D0N50P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KHB5D0N50P datasheet

 ..1. Size:1314K  kec
 khb5d0n50p f f2.pdf pdf_icon

KHB5D0N50P

KHB5D0N50P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB5D0N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 500V, ID= 5.0

Otros transistores... KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , SKD502T , KHB6D0N40F , KHB6D0N40F2 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.