KHB5D0N50P - описание и поиск аналогов

 

KHB5D0N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KHB5D0N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.24 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KHB5D0N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB5D0N50P даташит

 ..1. Size:1314K  kec
 khb5d0n50p f f2.pdf pdf_icon

KHB5D0N50P

KHB5D0N50P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB5D0N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS= 500V, ID= 5.0

Другие MOSFET... KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , SKD502T , KHB6D0N40F , KHB6D0N40F2 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 .

History: AGM60P30D | 2SK1310 | APQ02SN65AF | CM9N90PZ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.