KHB6D0N40F Todos los transistores

 

KHB6D0N40F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KHB6D0N40F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220IS
 

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KHB6D0N40F Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1266K  kec
 khb6d0n40p f f2.pdf pdf_icon

KHB6D0N40F

KHB6D0N40P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB6D0N40PAOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_A 9.9 + 0.2avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andBB 15.95 MAX

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History: WML7N80D1 | C2M0160120D | AP4509GM | XP151A13A0MR-G | SL3139T | HM2N65R | H5N5004PL-E0-E

 

 
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