KHB6D0N40F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KHB6D0N40F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 97 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220IS
Аналог (замена) для KHB6D0N40F
KHB6D0N40F Datasheet (PDF)
5.1. Size:1266K kec
khb6d0n40p f f2.pdf
khb6d0n40p f f2.pdf
KHB6D0N40P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB6D0N40PAOThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastCFswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentE DIM MILLIMETERSG_A 9.9 + 0.2avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andBB 15.95 MAX
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
