KHB6D0N40F - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KHB6D0N40F. Основные параметры


   Наименование производителя: KHB6D0N40F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KHB6D0N40F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB6D0N40F даташит

 5.1. Size:1266K  kec
 khb6d0n40p f f2.pdf pdf_icon

KHB6D0N40F

KHB6D0N40P/F/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB6D0N40P A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ A 9.9 + 0.2 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and B B 15.95 MAX

Другие MOSFET... KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , KHB5D0N50F , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , K4145 , KHB6D0N40F2 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 , KHB7D5N60F2 .

History: AFP6405S | HAT2198R | STI60N55F3 | IXFP130N10T | 2SK1431 | IXFH4N100Q | HUF76633S3S

 

 
Back to Top

 


 
.