KQ9N50P Todos los transistores

 

KQ9N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KQ9N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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KQ9N50P datasheet

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KQ9N50P

KQ9N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description TENTATIVE This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent KQ9N50P avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A O C switching mode power supplies. F E DIM MILLIMETERS

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History: DH012N03D | SM3319NSQG

 

 

 

 

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