KQ9N50P - описание и поиск аналогов

 

KQ9N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KQ9N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KQ9N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQ9N50P даташит

 ..1. Size:391K  kec
 kq9n50p f.pdf pdf_icon

KQ9N50P

KQ9N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description TENTATIVE This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent KQ9N50P avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A O C switching mode power supplies. F E DIM MILLIMETERS

Другие MOSFET... KHB9D0N50P1 , KHB9D0N90F1 , KHB9D0N90N1 , KHB9D0N90NA , KHB9D0N90P1 , KHB9D5N20D , KHB9D5N20F2 , KHB9D5N20P , RFP50N06 , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P .

History: 2SK1328 | AP4511GM-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.