Справочник MOSFET. KQ9N50P

 

KQ9N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KQ9N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KQ9N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KQ9N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  kec
 kq9n50p f.pdf pdf_icon

KQ9N50P

KQ9N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description TENTATIVEThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellent KQ9N50Pavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andAOCswitching mode power supplies.FE DIM MILLIMETERS

Другие MOSFET... KHB9D0N50P1 , KHB9D0N90F1 , KHB9D0N90N1 , KHB9D0N90NA , KHB9D0N90P1 , KHB9D5N20D , KHB9D5N20F2 , KHB9D5N20P , SKD502T , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P .

History: RU8080S | SIA445EDJT | APT5010LFLL | SI3853DV

 

 
Back to Top

 


 
.