KU024N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU024N06P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KU024N06P
KU024N06P Datasheet (PDF)
ku024n06p.pdf
KU024N06PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 60V, ID= 200A
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AUIRFN8405TR | NTHS4101P
History: AUIRFN8405TR | NTHS4101P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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