KU024N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KU024N06P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de KU024N06P MOSFET
KU024N06P Datasheet (PDF)
ku024n06p.pdf

KU024N06PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 60V, ID= 200A
Otros transistores... KHB9D5N20P , KQ9N50P , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , IRF2807 , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q .
History: SWF7N65K | IRL520NPBF | IRF7701GPBF | IPI65R190CFD | UTM4953 | SWF3N80D
History: SWF7N65K | IRL520NPBF | IRF7701GPBF | IPI65R190CFD | UTM4953 | SWF3N80D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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