KU024N06P - аналоги и даташиты транзистора

 

KU024N06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KU024N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KU024N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU024N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  kec
 ku024n06p.pdf pdf_icon

KU024N06P

KU024N06PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 60V, ID= 200A

Другие MOSFET... KHB9D5N20P , KQ9N50P , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , IRF2807 , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q .

 

 
Back to Top

 


 
.